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2026年1月10日讯，全球半导体巨头三菱电机近日宣布重大投资计划，将在截至2026年3月的5年内，把碳化硅（SiC）功率半导体相关投资翻倍至2600亿日元（约合133亿元人民币），全力扩充产能以把握电动汽车产业发展机遇。此次投资将重点聚焦晶圆制造环节，构建从前端制程到后端封装的完整产能体系。

根据规划，新增投资的核心部分近1000亿日元将用于在日本熊本县新建8英寸SiC晶圆厂，工厂将引入具备先进能源效率和高水平自动化的洁净室，专注于半导体“前端制程”（在硅晶圆上形成电路），预计2026年4月正式投产。同时，三菱电机还将升级其位于熊本县合志市工厂的6英寸SiC晶圆生产设施，进一步扩大产能规模。后端制程方面，公司计划投资100亿日元在福冈市Power Device Manufacturer内兴建新厂房，整合目前分散的组装和检查业务，实现设计、开发、生产技术验证一体化，提升开发能力与量产响应速度。

三菱电机在SiC功率模块领域拥有深厚技术积累，曾推出全球首款空调和高铁SiC功率模块，在家电、工业设备和轨道车辆等领域占据领先地位。公司表示，此次大规模扩产旨在应对电动汽车对SiC功率半导体快速增长的需求，同时拓展新应用市场，预计2026年度SiC晶圆产能将扩增至2022年度的约5倍水平，进一步巩固市场领先优势。