三菱电机斥资近1000亿日元建8英寸SiC晶圆厂 应对电动车芯片需求激增

2026年1月10日讯，全球半导体巨头三菱电机近日宣布重大投资计划，将在截至2026年3月的5年内将碳化硅（SiC）功率半导体相关投资翻倍至2600亿日元（约合133亿元人民币），其中核心部分近1000亿日元将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂，以应对电动汽车领域激增的市场需求。

据悉，新8英寸SiC晶圆厂将落址日本熊本县，专注于半导体“前端制程”，将引入具备先进能源效率和高水平自动化的洁净室，计划于2026年4月正式投产。同时，三菱电机还将加强其位于熊本县合志市工厂的6英寸SiC晶圆生产设施，进一步扩大产能。在“后端制程”方面，公司计划投资100亿日元在福冈市Power Device Manufacturer内兴建新厂房，整合分散业务，实现功率半导体的组装和检查一体化，提升开发能力与量产响应速度。

三菱电机在SiC功率模块领域具备深厚技术积累，曾推出全球首款空调和高铁SiC功率模块。此次大规模投资扩产，旨在巩固其市场领先地位，抓住电动汽车对高效能SiC功率半导体的需求机遇。据公司规划，2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平，同时拓展新应用市场，为公司长期增长奠定基础。